三星电子代工部分最近深陷负面传闻中。先是有音讯称涉嫌假造并虚报 5nm、4nm 和 3nm 工艺良率，让高通等 VIP 客户不得不另投台积电，近来又被黑客窃走 200GB 数据。

不过从技能上来看，三星依然是仅有一家能够紧跟台积电的晶圆代工厂，而且三星在接下来的 3nm 节点大将愈加急进，并想要在全球初次推出 GAA 晶体管工艺，抛弃 FinFET 晶体管工艺(台积电 3nm 工艺仍将依据 FinFET 工艺)。

三星正方案在 2022 年上半年完结其 3nm GAA 工艺的质量评价。据韩国媒体报导，三星现已预备好在韩国平泽市的 P3 工厂开工建造 3nm 晶圆厂，方案于 6、7 月份开工，并及时导入设备。

依据三星的说法，与 7nm 制作工艺比较，3nm GAA 技能的逻辑面积功率提高了 45% 以上，功耗降低了 50%，功能提高了约 35%，纸面参数上来说的确要优于台积电 3nm FinFET 工艺。

三星代工是三星的代工芯片制作事务部分，此前有音讯称其现在正在与客户一同进行产品设计和批量出产的质量测验。该事务部分的方针是打败竞争对手台积电，在 3nm GAA 范畴取得“世界第一”的称谓。但是三星能否在 3nm 的功能和产能上满意客户的要求还有待查询。

韩国远大证券的数据显现，到 2020 年，三星 Foundry 具有的专利仅为 7000- 10000 项，而其竞争对手台积电已取得约 3.5 万至 3.7 万项专利。因而，业界以为三星以为缺少 3nm 相关专利，这可能是个问题。

IT之家了解到，三星旗下 Galaxy 设备被黑客攻破，近 200GB 数据信息走漏，触及合作伙伴高通秘要数据，数亿名 Galaxy 设备用户正在面临着新的潜在安全危险，引起业界重视。

除此之外，韩国媒体此前还报导称，三星高管可能在试产阶段伪造了其 5nm 以下工艺的芯片良率，以举高三星代工事务的竞争力。随后，三星启动了对本来方案扩展产能和确保良率的资金下落的查询，进一步了解半导体代工厂产值和良率状况。

据三星内部官员泄漏，“因为晶圆代工厂交给的数量难以满意代工订单需求，公司对非内存工艺的良率表明置疑，事实上依据该良率是能够满意订单交给的。”还有业内人士泄漏，在三星为高通出产的骁龙 4nm 制程芯片中，良品率仅为 35%，而且三星自研的 4nm 制程 SoC 猎户座 2200 的良率更低。