行将登陆科创板的拓荆科技股份有限公司(简称“拓荆科技”)近来相继完结上路演活动、敞开上下申购并发布中签成果，公司间隔科创板上市再近一步。

揭露资料显现，拓荆科技成立于2010年4月，是沈阳市甚至辽宁省要点培养的上市后备企业和我国半导体设备五强企业之一，首要从事高端半导体专用薄膜堆积设备的研制、出产以及技能服务，产品包含等离子体增强化学气相堆积(PECVD)设备、原子层堆积(ALD)设备和次常压化学气相堆积(SACVD)设备三个系列，是目前国内为数不多的工业化使用集成电路PECVD、SACVD设备厂商之一。

“公司安身自主立异，先后承当多项国家严重科技专项课题，在半导体薄膜堆积设备范畴堆集了多项研制及工业化的核心技能，并到达国际先进水平。”拓荆科技表明，公司具有先进的薄膜工艺设备设计技能、反响模块架构布局技能等，不只处理了薄膜外表颗粒数量少、快速成膜、设备产能安稳高速等要害难题，还在确保薄膜工艺性能的一起提升了客户产线的产能，大大减少了出产成本。

拓荆科技相关负责人表明，薄膜堆积设备技能门槛高，研制难度大，出产中不只需求在成膜后检测薄膜厚度、均匀性、光学系数、机械应力及颗粒度等性能指标，还需求对终究芯片产品进行可靠性和生命周期测验，以衡量薄膜堆积设备是否终究满意技能标准。因而，下流客户对薄膜堆积设备技能要求高，关于新式厂商而言，需求具有强壮的技能才干才干获取客户信赖。

经过十多年的技能堆集，拓荆科技已构成掩盖20余种工艺类型的薄膜堆积设备产品，能够适配国内先进的28/14nm逻辑芯片、19/17nmDRAM芯片和64/128层3DNANDFLASH晶圆制作产线，满意下流集成电路制作客户关于不同资料、不同芯片结构薄膜堆积工序的设备需求。其间，PECVD设备已全面掩盖逻辑电路、DRAM存储、FLASH闪存集成电路制作各技能节点产线多种通用介质资料薄膜堆积工序，并研制了LokⅠ、LokⅡ、ACHM、ADCⅠ等先进介质资料工艺，一举打破了薄膜堆积设备长期被欧美和日本厂商独占的局势。

本次IPO，拓荆科技方案将征集资金首要用于高端半导体设备扩产、先进半导体设备的技能研制与改善以及ALD设备研制与工业化等项目。“上市后，在加强产品技能研制的一起，公司还将逐渐培养和完善国内相关工业链，经过与国内供货商的深度协作与磨合，推进设备要害部件的国产化开发及验证，进步设备零部件的国产化率以及产品品质。”拓荆科技表明，公司还将使用国产设备厂商的归纳优势，为客户供给定向的技能开发与服务，以助力半导体工业链开展，保证工业链的技能先进性。

业内人士剖析，作为半导体工业的重要支撑，半导体专用设备是国家高度重视和要点支撑的战略新式职业。像拓荆科技这类具有“硬科技”特点的高新技能企业，其发行上市获取本钱助力，既符合科创板“硬科技”板块的定位，也符合国家开展战略，具有凭借本钱市场完成跨越式开展的正面演示效应。