得悉，TrendForce集邦咨询表明，2021年跟着各国于5G通讯、消费性电子、工业动力转化及新动力车等需求拉升，唆使如基站、动力转化器(Converter)及充电桩等使用需求大增，使得第三代半导体GaN及SiC元件及模组需求微弱。其间，以GaN功率元件成长起伏最高，预估本年营收将达8,300万美元，年增率高达73%。

据TrendForce集邦咨询研讨，GaN功率元件，其主要使用大宗在于消费性产品，至2025年市场规模将达8.5亿美元，年复合成长率高达78%。前三大使用占比分别为消费性电子60%、新动力车20%、通讯及数据中心15%。据TrendForce集邦咨询查询，到现在已有10家手机OEM厂商连续推出18款以上搭载快充的手机，且笔电厂商也有意跟进。

而全球SiC功率市场规模至2025年将达33.9亿美元，年复合成长率达38%，其间前三大使用占比将分别为新动力车61%、光伏及储能13%、充电桩9%，新动力车工业中又以主驱逆变器、车载充电机(OBC)、直流变压器(DC-DC)为使用大宗。

要害衬底大都仍由欧美日IDM大厂把握

TrendForce集邦咨询指出，因第三代半导体GaN及SiC衬底(Substrate)资料成长条件相对困难，以及现行干流尺度大致落于6英寸并往8英寸方向跨进，唆使价格相较传统8英寸、12英寸Si衬底高出5~20倍不等。因为大都资料仍集中于美国科锐(Cree)及贰陆(II-VI)、日本罗姆(Rohm)及欧洲意法半导体(STMicroelectronics)等IDM大厂手中;部分中国大陆厂商如山东天岳(SICC)及天科合达(Tankeblue)等在方针支撑下相继投入，以期加快国产化自给自足方针。