得悉，依据TrendForce集邦咨询研讨闪现，受惠于消费性快充产品需求快速上升，如手机品牌小米（Xiaomi）、OPPO、Vivo自2018年起首先推出快速充电头，凭仗高散热效能与体积小的产品优势获得顾客喜爱，到现在笔电厂商也有意跟进，使率GaN功率商场成为第三代半导体工业中产量上升最快速的类别，预估2021年营收将达8,300万美元，年增高达73%。

厂商方面，纳微半导体（Navitas）将以29%的出货量市占率逾越Power Integrations（PI），拿下本年全球GaN功率商场第一名。凭仗其特征GaN Fast power ICs设计方案和杰出供应链协作关系，从而成为消费商场GaN功率芯片第一大供货商，现在已与全球尖端手机OEM厂商及PC设备制作商打开协作，包含戴尔、联想、LG、小米、OPPO等。2021年其快充IC订单继续添加，此前在台积电（TSMC）Fab2的6英寸投片，下半年将转进至8英寸厂，以缓解产能紧缺问题；三安集成(San’an)也是其意向代工厂。别的，关于其他GaN使用商场，数据中心也或许成为纳微半导体的优先切入点，估计2022年会投入相应产品。

Power Integrations（PI）作为老牌电源芯片厂商，在GaN功率商场长时间作为肯定主导地位，本年PI推出了依据PowiGaN? 技能的新一代InnoSwitch?4-CZ系列芯片，搭载至Anker 65W快充等产品，获得商场共同好评。别的，近期发布的首款集成AC-DC操控器和USB PD协议操控的单晶片产品，或成为推升PI本年营收生长的又一大要害动能，预估将以24%市占率位居全球第二。

政府加大扶持力度，我国业者英诺赛科出货量市占率居全球第三

值得一提的是，我国厂商英诺赛科（Innoscience）本年市占一举攀升至20%，跃升为全球第三，首要受惠于其高、低压GaN产品出货量大幅增加，其间，快充产品更初次进入一线笔电厂商供应链。与此同时，姑苏8英寸晶圆厂已步入量产阶段，IDM形式优势将在GaN工业高速开展中逐渐闪现。现在英诺赛科正活跃拓宽其他范畴使用例如Lidar、车载充电机（OBC）、LED电源等，丰厚的产品组合将有望助其进一步扩展明年市占。

查询现在我国从方针上对第三代半导体的拔擢，其力度正不断增强，加上中美交易冲突使华为及我国下流使用企业从头审视供应链安全危险，此为我国第三代半导体资料、元件业者带来验证与国产代替的良机，进一步推进我国第三代半导体工业的开展。依据TrendForce集邦咨询查询，2020年我国约有25笔第三代半导体出资扩产项目（不含GaN光电），总出资额超700亿元，年增180%。

其间，工业链最中心的SiC衬底资料，现在我国商业化产品仍以4英寸为主，且正往6英寸跨进，与国际先进水平距离不断缩小，然单晶质量距离依然显着，高性能衬底自给率较低。据TrendForce集邦咨询计算，到2021上半年，我国已有约7条硅基氮化镓晶圆制作产线，还有至少4条GaN功率产线正在建设中；而SiC晶圆制作方面（包含中试线）至少已有14条6英寸的产线。